高质量半绝缘GaN的制备
2008年04月01日 0:0 5601次浏览 来源： 中国有色网 分类： 新技术
GaN作为宽禁带半导体材料之一，因其良好的热稳定性、较高的击穿电压，在高功率高频率电子器件方面有较大发展前途。通常非掺杂GaN因Ga空位和残余氧表现为n型。掺入某些金属元素（如铁）作为深能级受主，利用补偿作用可改善GaN电学性质。
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