氧化锌将成为创造高性能LED的突破点

2008年12月19日 10:31 5296次浏览 来源:   分类: 铅锌资讯

     据国外媒体报道,德国科学家采用氢进行掺杂的方法制造出更高性能的LED和其他半导体。他们称,在使用氧化锌制造半导体时,合理控制氢原子将成为一个关键。半导体掺杂是激活半导体的必要条件,它将外来的原子掺进晶体里,而该原子可以释放(n型掺杂)或吸收一个电子(p型掺杂)。这样就在固体内部创造一个空穴。

    科学家已经在努力将氢和p型掺杂结合,但是氢原子更加容易进行n型掺杂,但是这会阻碍半导体工艺。而P型掺杂才能制造LED和半导体。而氧化锌到处都是——每年全球的产量为数千吨。

责任编辑:安会珍

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