新型钨铜电子封装材料在中南大学研制成功
2014年11月24日 13:20 3788次浏览 来源： 国际电子商情 分类： 铜资讯
近日在中南大学宣告成功研制一种高性能钨铜电子封装材料。该产品是采用粉末冶金方法制成的功能复合材料，既具有W的低膨胀特征，又具有Cu的高导热性能。
产品主要应用于高性能、高集成度、高可靠性的电子器件中，与Si、GaAs、Al2O3和Be等电子材料相匹配，起到散热、支承和保护的作用。目前，该材料已开始应用于大功率脉冲微波管、激光二极管、集成电路模块、电力电子器件、MCM、CPU等元器件中。
据了解，该材料一经问世，即被作为湖南省唯一的电子元器件类产品列入 "十五"科技成果推广项目，受到业界的热情关注。
责任编辑：杨翼
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